Control of nucleation and growth of graphene during the chemical vapor deposition (CVD) synthesis is crucial for achievi......

为了实现对超声场的非接触全场测量和成像, 提出了基于数字全息干涉的动态超声场的测量和成像方法。对超声场的测量进行理论分析, ......

The microdefects and free electron densities in B2, R and B19’ phases of Nis0.78Ti49.22 alloy were studied by positron ......

Positron lifetime spectra have been measured in binary Ni-Al alloys with different chemical composition and NiAl alloys ......

对陶瓷微缺陷裂纹进行无损检测,能够保证陶瓷制品质量,提高产品使用可靠性都具有重要意义。对陶瓷制品的为缺陷裂纹图像的无损检测......

通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带, 损伤带的位置和注入氢的分布几乎一致, 推断损伤带是由于氢的注入引起的. 损伤带......

综述了国内外同行对硅材料中微缺陷的有关研究，叙述了微缺陷（下称ＭＤ）对硅雪崩光电探测器（Ｓｉ－ＡＰＤ）性能的影响和消除措施，介绍了目前已有的检测方法......

测量了Ti50Al50，Ti50Al48V2，Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti，Al，Ag，V金属的正电子寿命谱，利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态......

氧化铝陶瓷在成型、烧成以及机加工等过程中都会或多或少的产生一些微观缺陷,分析了几类常见微观缺陷,提出避免缺陷产生的相关措施......

采用超音速等离子喷涂设备在45号钢基体上制备了三种含有不同微缺陷的NiCrBSi合金涂层。使用球盘式接触疲劳实验机对涂层的接触疲......

在对某厂扭力轴台架试验发生的断裂件失效分析中，发现轴的材料存在缩孔、疏松、有害元素富集及成分偏析等缺陷，造成材料抽静强度物质......

在 52 的微缺点和免费电子密度， R 和 519'' 阶段 ofNi_(50.78 )Ti_(49.22 ) 合金被正电子一生大小学习。比较 Ni_(50.78 )......

用热蒸发方法沉积了薄膜滤光片.并将样品分别在去离子水中浸泡10天和30天.通过分光光度计、光学暗场显微镜、及扫描电子显微镜等多......

本文用X射线、电子显微镜和电子束阴极荧光方法,对在太空中生长的掺Te-GaAs单晶材料的结构完整性进行了实验研究.在地面生长的掺Te......

对二元Fe-Al合金,含Cr和Si的Fe3Al合金的正电子寿命谱测量表明:随着二元Fe-Al合金中Al含量的增加,空位浓度增加,微孔洞的开空间增......

本文分析了硅ＣＶＤ外延生长中金属杂质沾污、吸附－解吸机理模型和微缺分布规律，提出了用反向补偿原理优化外延工艺，有效地解决了硅外延层的......